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超低介电常数金属间介电层的形成方法包含形成第一金属间介电层于基底上,第一金属间介电层包含多个介电料材层,形成粘着层于第一金属间介电层上,形成超低介电常数介电层于粘着层上,形成保护层于超低介电常数介电层上,形成硬遮罩于保护层上且将硬遮罩图案化...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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超低介电常数金属间介电层的形成方法包含形成第一金属间介电层于基底上,第一金属间介电层包含多个介电料材层,形成粘着层于第一金属间介电层上,形成超低介电常数介电层于粘着层上,形成保护层于超低介电常数介电层上,形成硬遮罩于保护层上且将硬遮罩图案化...