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一种芯片封装方法，包含于一第一暂时载体上形成一第一重布层及一第一介电层，从而产生多个第一导电介面于该第一暂时载体上，每对相邻的第一导电介面具有一第一间距；于该第一重布层的一第一部分及该第一介电层上形成一第二介电层，从而覆盖该第一重布层的该第...
该专利属于力成科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力成科技股份有限公司授权不得商用。

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