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本发明提供一种在半导体衬底的图案结构上沉积薄膜的方法及制造半导体装置的方法，所述方法包含(a)供应源气体；(b)供应反应气体；以及(c)供应等离子体，其中步骤(a)、步骤(b)以及步骤(c)在反应空间内的半导体衬底上依序重复，直到获得所要厚...
该专利属于ASM知识产权私人控股有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASM知识产权私人控股有限公司授权不得商用。

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