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本实用新型提供了一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，包含反应腔体，所述反应腔体分为左右两部分，左边为低温区，右边为高温区，所述反应腔体低温区固定有格子支架，所述格子支架将反应腔体分成若干独立空间，所述格子支架上放置有内管，所...
该专利属于南昌大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学授权不得商用。

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