【技术实现步骤摘要】
一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置
本技术属于化学气相沉积
，具体涉及一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置。
技术介绍
二维过渡金属硫属化合物晶体由于具有优越的物理和化学特性，在场效应管、光电器件、锂离子电池以及光催化等领域有着良好的应用前景，其相互构成异质结形成器件也具有深远的科学研究和应用价值。然而，在化学气相沉积法生长构成异质结器件时，需要打开反应腔体再次装配前驱体进行反应，这将给异质结在形成时带来不同环境的影响，第一次生长的材料界面会被暴露在大气中，从而带来不利于材料表面的灰尘和一些纳米粒子的污染，从而影响二次形成异质结时的生长和构成器件的性能，尤其是光电性能。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是针对以上实际存在的问题，提供一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，该装置可在不打开反应腔体的情况下持续的装配反应前驱体，保证化学气相沉积法生长构成异质结的良好性能。为解决上述技术问题，本技术采用了如下技术方案：一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，包含反应腔体，所述反应腔体分为左右两部分，左边为低温区，右...
【技术保护点】
1.一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，包含反应腔体，其特征在于所述反应腔体分为左右两部分，左边为低温区，右边为高温区，所述反应腔体低温区固定有格子支架，所述格子支架将反应腔体分成若干独立空间，所述格子支架上放置有内管，所述内管中承载有反应前驱体，所述内管左端通过推动杆固定连接有磁性移动器，所述内管可在格子支架上左右移动。
【技术特征摘要】
1.一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，包含反应腔体，其特征在于所述反应腔体分为左右两部分，左边为低温区，右边为高温区，所述反应腔体低温区固定有格子支架，所述格子支架将反应腔体分成若干独立空间，所述格子支架上放置有内管，所述内管中承载有反应前驱体，所述内管左端通过推动杆固定连接有磁性移动器，所述内管可在格子支架上左右移动。2.根据权利要求1所述的一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，其特征在于所述磁性移动器为永久磁铁。3.根据权利要求2所述的一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，其特征在于所述磁性移动器靠近所述反应腔体内壁，所述反应腔体外壁通过外置磁铁与所述磁性移动器吸引。4.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王立，王震东，王剑宇，张思鸿，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：新型
国别省市：江西,36
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