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竖直堆叠存储器件制造技术
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文档序号:19241483
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竖直堆叠存储器件包括掺杂半导体衬底,所述掺杂半导体衬底具有施加了源极电力的公共源极以及与公共源极间隔开的低带隙层,并且所述低带隙层包括低带隙材料。堆叠栅极结构具有沿第一方向交替地且竖直地堆叠在衬底上的栅电极和绝缘间层图案。沟道结构沿第一方向...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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