下载竖直堆叠存储器件的技术资料

文档序号:19241483

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竖直堆叠存储器件包括掺杂半导体衬底,所述掺杂半导体衬底具有施加了源极电力的公共源极以及与公共源极间隔开的低带隙层,并且所述低带隙层包括低带隙材料。堆叠栅极结构具有沿第一方向交替地且竖直地堆叠在衬底上的栅电极和绝缘间层图案。沟道结构沿第一方向...
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