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本发明公开了一种具有HKMG的MOS晶体管的制造方法，包括步骤：步骤一、形成伪栅结构直至形成层间膜并平坦化；步骤二、形成第一光刻胶图形将PMOS的区域打开；步骤三、去除PMOS的区域中的伪多晶硅栅；步骤四、形成PMOS对应的第一功函数层；步...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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