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本申请提供了一种制造半导体装置的方法以及半导体装置。该制造半导体装置的方法包括：将衬底的上部图案化，以形成第一有源图案，所述衬底包括具有第一晶格常数的半导体元素；在第一有源图案的上部上执行选择性外延生长工艺，以形成第一源极/漏极区；为第一源...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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