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本发明公开了一种一步制备多层二硫化钼的方法。在惰性气氛中，采用常见的硫粉单质和MoO3为原材料，利用单温区的化学气相沉积方法可控地生长出多层的MoS2，层数为3～7层；将沉积时的温度控制为650℃至750℃，并且沉积时间控制为5至30分钟，...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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