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本发明涉及一种形成三维存储器的下部半导体图案的方法以及三维存储器。该方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底和位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的多个第一材料层和多个第二材料层；形成垂直贯穿所述堆叠层且到达所述衬...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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