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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:19182398
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实施方式提供一种具有能抑制缺陷产生的TSV的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有:半导体衬底,设有从第1面贯通到与所述第1面为相反侧的第2面的贯通孔;金属部,形成于所述贯通孔内部;及绝缘膜,设于所述半导体衬底与所述金属...
该专利属于东芝存储器株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。
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