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本发明提供的是一种具有紫外吸收峰的钛掺杂二硫化钼薄膜的制备方法。以铂电极作为阳极、单晶硅片作为阴极、极距为2.5～3.5cm、工作方式为恒流状态、阴极表面电流密度为0.1～2.5mA/cm2，在电沉积液中进行电沉积，通过沉积时间控制MoS2...
该专利属于哈尔滨工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工程大学授权不得商用。

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