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本发明涉及一种低电阻率n型氧化亚铜薄膜的真空制备方法，包括：(1)清洗衬底；(2)在所述衬底上生长Cu2O薄膜；(3)使用氮(N)等离子体处理步骤(2)得到的Cu2O薄膜。使用氮(N)等离子体处理Cu2O薄膜，制备工艺简单、稳定；通过探索和...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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