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本发明公开了一种双分离栅闪存的编程时序电路，双分离栅闪存的存储单元包括排列源区和漏区之间的第一至第三栅极结构；第一和第三栅极结构具有浮栅，第一栅极结构作为信息存储位，编程时对第一栅极结构的浮栅进行注入编程，编程时序电路提供在编程时具有分段结...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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