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本发明公开了一种基于双模冗余的抗软错误老化预测传感器，涉及集成电路技术领域，通过在POMS管M1输入复位信号PWD，对点X1、点X2、点Y1、点Y2进行充电，使得X1＝X2＝Y1＝Y2＝1；充电完成后，组合逻辑电路的输出信号Co进入延时电路...
该专利属于安徽理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽理工大学授权不得商用。

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