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一种半导体元件制造方法，包括通过将等离子施加到多个金属二硫族化物膜，来等离子蚀刻设置在基板上的多个金属二硫族化物膜的一部分，此多个金属二硫族化物膜包含金属和硫族元素的化合物。在等离子蚀刻之后，将硫族元素施加到多个金属二硫族化物膜的剩余部分，...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司;林时彦所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司;林时彦授权不得商用。

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