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本发明涉及氮化硅的选择性生长。本文提供了用于相对于氧化硅表面选择性地在硅表面上沉积氮化硅并且相对于硅表面选择性地在氧化硅表面上沉积氮化硅的方法和装置。方法涉及将衬底暴露于烯烃，烯烃选择性地与硅表面反应，以通过于使用热原子层沉积在氧化硅表面上...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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