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本发明公开了一种光子增强的晶体管和功率电子器件，其中该光子增强的晶体管包括：第一半导体层，具有第一导电类型且为轻掺杂；形成在第一半导体层之中的源区，具有第一导电类型且为重掺杂；形成在源区之上的源极金属层；形成在第一半导体层之中的沟道区，具有...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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