温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及电荷存储单元以及制造电荷存储单元的方法。一种可用于利用衬底材料中的第一沟槽和第二沟槽来制造电荷存储单元的方法。用掺杂材料填充该第一沟槽。用第二沟槽材料填充该第二沟槽。该方法包括使该掺杂剂从该第一沟槽扩散从而提供与该第一沟槽相邻的掺...
该专利属于意法半导体(R&D)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(R&D)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。