温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在所描述的示例中，半导体器件(100)的低动态电阻低电容二极管(114)包含重掺杂n型衬底(102)。1微米至5微米厚的轻掺杂n型层(104)被设置在n型衬底(102)上。3微米至8微米厚的轻掺杂p型层(106)被设置在n型层(104)上。...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。