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本发明目的在于提供相对介电常数大的多晶介电体薄膜及电容元件，其主要组成为钙钛矿型氮氧化物，所述钙钛矿型氮氧化物以组成式Aa1Bb1OoNn(a1+b1+o+n＝5)表示，所述钙钛矿型氮氧化物的晶格中的a轴长大于理论值。...
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