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本发明公开了一种整流二极管及其制备方法。本发明通过磷扩散、正面减薄、铝注入、硼扩散、光刻槽、台面腐蚀、淀积SIPOS、钝化、淀积LTO、光刻引线、蒸铝、铝反刻、铝合金、背金和背金反刻工艺制备得到整流二极管，该整流二极管包括阳极与阴极两个电极...
该专利属于浙江世菱电力电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江世菱电力电子有限公司授权不得商用。

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