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本发明公开一种具有极化匹配势垒层的增强型GaN HEMT，由下至上依次为衬底、缓冲层、沟道层及AlxInyGa1‑x‑yN势垒层，所述AlxInyGa1‑x‑yN势垒层边缘有隔离区，在隔离区之内有源区的AlxInyGa1‑x‑yN势垒层上有...
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