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本发明提供了一种能够获得ε相氧化镓半导体结晶膜的叠层结构，及相应的制备方法。该叠层结构主要由蓝宝石衬底和ε相氧化镓半导体结晶膜构成，该叠层结构的制备方式是利用化学气相沉积，在蓝宝石衬底上沉积ε相氧化镓半导体结晶膜。所述蓝宝石衬底厚度为100...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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