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本发明公开了一种分离栅闪存的编程时序电路，分离栅闪存的存储单元包括排列源区和漏区之间的第一栅极结构和浮栅，第一栅极结构的多晶硅栅会延伸到浮栅的顶部；编程时对进行注入编程，编程时序电路提供在编程时具有分段结构的源极线信号，源极信号线的多个分段...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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