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本发明提供了一种硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法，硅基雪崩光电探测器阵列的器件主体结构为在SiO2/Si复合衬底上形成有外延Si层的晶片结构，该晶片结构是通过键合技术而形成的外延Si/SiO2/Si材料结构，基于该晶片结构的硅基雪崩光电探...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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