温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，包括以下步骤：1)制作层叠设置的底电极和阻变材料层，其中底电极在阻变材料层的下方；2)在阻变材料层的上表面制备单层或多层纳米遮蔽层，所述纳米遮蔽层中具有层阵列设置的纳米尺寸间隙...
该专利属于集美大学所有，仅供学习研究参考，未经过集美大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。