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一种漏磁信号增强结构制造技术
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文档序号:19008214
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本发明公开了一种漏磁信号增强结构,包括:磁芯、磁敏传感器和铁氧体;铁氧体安装在磁敏传感器上方,铁氧体安装在磁芯下方正中处,磁敏传感器的下表面与磁芯下表面平齐;磁敏传感器的输出进行高通滤波后得到增强的信号。本发明的有益效果为:有效增加漏磁检测...
该专利属于南京航空航天大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京航空航天大学授权不得商用。
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