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本发明提供一种器件结构形成方法以及图像传感器的形成方法。该器件结构形成方法包括：在半导体衬底上形成DARC层(介电抗反射层)，以所述DARC层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底以形成第一沟槽的第一部分和第二沟槽，再以第二图形化的光刻胶层和DARC层...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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