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本发明公开了一种三维存储器制造方法，包括：在衬底上形成由交替布置的多个第一介质层和多个第二介质层构成的介质层堆叠；刻蚀介质层堆叠以形成多个沟道区；在所述沟道区之间，刻蚀介质层堆叠以形成暴露衬底的槽；以及执行侧向刻蚀，使得所述槽的侧壁的曲率至...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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