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三维存储器以及三维存储器的制造方法技术
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文档序号:18973796
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本发明提供一种三维存储器及其制造方法,提供栅极预留堆叠结构,所述栅极预留堆叠结构包括若干层间隔排列的栅极预留层、以及穿过所述栅极预留堆叠结构的柱状结构,所述柱状结构包括沟道层以及至少环绕所述沟道层的存储器层;在所述柱状结构的上方形成漏极;所...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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