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本发明公开了一种大单晶导电材料及其制备方法，属于单晶材料制备技术领域。本发明对多晶导电材料在加载1‑100A恒定电流的条件下进行退火处理，加热至退火温度后保温、移炉、冷却，制得大单晶导电材料；其中，退火温度低于多晶导电材料的熔点温度，连接多...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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