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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；执行离子注入，向衬底中注入掺杂离子；在衬底中形成富镍相硅化物；执行驱动退火，使得富镍相硅化物转变为镍基金属硅化物以用作源漏区，并使得镍基金属硅化物与衬底界面处...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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