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本发明公开了一种优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法，主要解决现有器件开态电流低和双极效应严重的问题，其包括：SOI衬底(1)、隔离槽(2)、源区(3)、沟道区(4)、漏区(6)、栅极区(5)及导电层(7)；隔离槽(2)位于SOI衬底(1...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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