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位线/存储节点接触栓塞和多晶硅接触薄膜的制造方法技术
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文档序号:18946007
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本发明至少提供一种位线接触栓塞的制造方法,包括:提供一衬底,衬底具有在绝缘层中的位线接触孔;将具有位线接触孔的衬底置入一沉积炉管机台中,并通过化学气相刻蚀方法去除形成于位线接触孔底部的自然氧化层,其中,自然氧化层形成于衬底在进入沉积炉管机台...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。
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