温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种用于外延生长垒晶层的MOCVD设备，其至少包括：反应室、进气系统和排气系统，所述进气系统位于反应室的顶部并与所述反应室连通，所述排气系统位于所述反应室的底部并与所述反应室连通，所述排气系统包括集气环...
该专利属于安徽三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽三安光电有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。