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本发明涉及形成具有STI区的集成电路的方法及所产生的IC结构，其揭示一种集成电路(IC)形成方法，其中，在一半导体层内形成数个沟槽以界定半导体台面。该方法初始只在该沟槽内形成侧壁间隔体于该半导体台面的暴露侧壁上，而不是立即用隔离材料填满该沟...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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