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本发明公开了一种晶硅选择性发射极产业化印刷对位方法，包括以下步骤：步骤一、硅片预处理；步骤二、P‑N结的制备；步骤三、SE激光掺杂；步骤四、MARK点的制备：调整激光参数，使得MARK点在镭射制备过程中的激光打标能量均要高于SE激光掺杂的能...
该专利属于通威太阳能（合肥）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过通威太阳能（合肥）有限公司授权不得商用。

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