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本发明公开一种双分离栅闪存阵列及其编程方法，所述双分离栅闪存阵列包括M*N的存储单元，每个存储单元的控制栅线CG0/CG1与位线BL0/BL1平行而与字线WL垂直，本发明之双分离栅闪存阵列及其编程方法适合于低功耗的场合。...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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