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周期性交错波导结构、以及电光调制结构和MZI结构制造技术
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文档序号:18859469
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本发明提供了一种周期性交错波导结构、以及使用它的电光调制结构和MZI结构,周期性交错波导结构呈脊型,沿波导延伸方向在脊型波导中心形成有条状插指形n型Si掺杂区,在插指间形成有p型SiGe掺杂区,n型Si掺杂区和p型SiGe掺杂区周期性交错排...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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