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本发明公开了一种HEMT器件纳米栅极的制备方法，在HEMT器件的制作过程中，利用Ag纳米线作为掩模，进行源漏电极金属沉积；之后采用NH3·H2O、H2O2、H2O混合溶液超声清洗的方法去除Ag纳米线，在源漏电极之间形成与Ag纳米线尺度相当的...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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