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半导体装置具备：p型基极层(7a、7b)，设置于n型漂移层(10)的表面侧；n型发射极层(6)，设置于p型基极层(7a)的表面侧；第1控制电极(1)，具有以从n型发射极层(6)的表层到达n型漂移层(10)的方式埋设的沟槽栅电极(15)；第2...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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