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本发明公开了一种具有纳米级SiO2光栅钝化层的GaN基发光二极管及其加工方法，包括衬底和外延层，外延层包括AlN成核层、GaN缓冲层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格层、In0.16Ga0.84N多量子阱层、p‑AlGaN/GaN电子...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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