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本发明公开一种氮化物半导体外延叠层结构及其功率元件，该氮化物半导体外延叠层结构包含一硅基板；一含铝成核层，配置于前述硅基板上；一缓冲结构，配置于前述含铝成核层上，依序包含：一第一超晶格堆叠结构、一第一氮化镓系厚层，配置于前述第一超晶格堆叠结...
该专利属于晶元光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶元光电股份有限公司授权不得商用。

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