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本发明涉及包括掩埋电容结构的半导体器件及其形成方法。本公开提供了半导体器件和制造技术，其中可以在SOI器件的掩埋绝缘层的层级处提供掩埋电容结构，从而与传统策略相比提供了降低的工艺复杂度，而仍然在掩埋电容结构上方保留优异的路由能力。...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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