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低发散角的超辐射发光二极管结构制造技术
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文档序号:18765911
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一种低发散角的超辐射发光二极管结构,包括:一衬底;一缓冲层,其制作在衬底上;一无源波导芯层,其制作在缓冲层上;一空间层,其制作在无源波导芯层上;一应变量子阱结构,其制作在空间层上;一缓冲层,其制作在应变量子阱结构上;一电流阻挡层,其制作在应...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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