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本发明属于一种可逆半导体到金属(SMT)一级转变涂层的制造技术领域，特别涉及一种自支撑金刚石衬底异质结构及制备方法，在自支撑金刚石衬底依次制备AZO透明导电薄膜、p‑GaN材料层、VO2材料层、AZO透明导电薄膜和TiN抗腐蚀保护层。本发明...
该专利属于沈阳工程学院所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳工程学院授权不得商用。

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