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本发明提供一种三维存储器以及三维存储器的制造方法，该三维存储器包括核心存储电路以及外围电路，所述核心存储电路形成有至少一个存储串，所述三维存储器还包括：衬底，所述外围电路形成于所述衬底之上；共源极线层，形成于所述外围电路上，并与所述外围电路...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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