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本发明公开了一种超厚立方AlN薄膜的制备工艺及参数。先采用磁控溅射的方法，在500‑700摄氏度范的基底上沉积氮化钛和AlN的多层涂层。沉积过程中衬底温度保持恒定，氮化钛涂层厚度为2‑10nm，AlN涂层厚度为1‑5nm。再将沉积获得的纳米...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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