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本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种RC‑IGBT器件背面制作方法，在RC‑IGBT器件的正面，通过注入及高温退火来完成背面工艺；通过本发明制作方法可有效改善器件工艺加工难度，降低碎片率，同时改善器件参数Vce，且本发明制作工艺与现...
该专利属于苏州凤凰芯电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州凤凰芯电子科技有限公司授权不得商用。

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